机译:Ru中间层的斜入射溅射,用于垂直记录介质中晶间交换的解耦
机译:使用通过蒸发和溅射沉积的斜入射沉积Ru中间层对垂直介质记录特性的影响
机译:双Ru中间层对CoCrPt-SiO_2垂直记录介质的磁性能和记录性能的影响
机译:Ru中间层的斜发射溅射在垂直记录介质中晶间交换去耦
机译:具有超薄籽晶层的钴基多层膜,用于垂直磁记录介质。
机译:Ru中间层的斜入射溅射用于垂直记录介质中晶间交换的解耦
机译:粒度垂直磁记录介质中的晶间交换耦合的减少^ ^ mdash;将在高Ar气体压力下沉积的薄层插入记录层^ ^ mdash的初始生长区域中;